Коллектив Физического факультета поздравляет профессора кафедры «Физики полимеров и кристаллов» Леонида Николаевича Рашковича с международной премией Ладиза за цикл работ по скоростному выращиванию кристаллов из водных растворов!     
 

В приветствии президента Международной Организации по росту кристаллов академика РАН А.А. Чернова сказано:  
«On Mar 27, 2010, at 6:17 PM
   Dear Dr. James J. DeYoreo,
            Molecular Foundry,
            Lawrence Berkeley National Laboratory,
            Berkeley, CA 94720, USA

 
            Dr. Nataliya P. Zaitseva,
            Physics and Life Science Directorate,
            Lawrence Livermore National Laboratory,
            Livermore, CA 94550, USA

            Prof. Leonid N. Rashkovich
            Physics Department,
            Moscow State University,
            Moscow, Vorobyevy Gory,
            119992 Russia
    
 Dear Dr. James J.DeYoreo, Dr. Natalyia P.Zaitseva, and Professor Leonid N. Rashkovich,
On behalf of the F.C. Frank and R.A. Laudise Prize Committee of The International Organization for Crystal Growth (IOCG) and the IOCG Executive Committee, it is our great pleasure to inform you that the IOCG R.A. Laudise Prize will be awarded to you for your work in creating the technology and scientific basis of rapid growth of perfect crystals from solutions.
 This award will be presented at the upcoming 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16) to be held in Beijing on August 8-13, 2010. As part of the award, you are supposed to present a lecture on your work as a key part of the conference program. If you accept, details of financial assistance available to facilitate your attendance and participation in the meeting will be forthcoming.
 We look forward to seeing you at the conference and congratulating you in person on this well-deserved recognition.
   Sincerely yours,
   A.A.Chernov, IOCG President
   T.Ohachi. Chairman, IOCG Frank and Laudise Prize Committee».

В триумвирате призеров двое наших – ученица и сотрудница Л. Н. Рашковича Наталья Зайцева (ныне, увы, в США) и сам Леонид Николаевич. Разработка принципов и научных основ скоростного роста много лет  проводились на физическом факультете, технология и аппаратура выращивания метровых кристаллов создана в Ливерморе.
   Четырехсотлетняя практика человечества по выращиванию кристаллов из растворов показывала, что чем медленнее растет кристалл, тем более он совершенен. Теория говорила о том же: элементарный акт вхождения атома в кристаллизационный дворик  осуществляется путем проб и ошибок при его (атома) размещении в нем (дворике) (Р. Фейнман, 1964) При быстром же  росте частицы не успевают правильно встраиваться в кристалл.
    Авторам было трудно психологически спорить с теорией и практикой. Неоспоримо, что при быстром росте число точечных дефектов в кристалле должно возрастать. Но эвристическая ценность их позиции состоит в том, что они осознали - не точечные дефекты определяют оптические свойства материала. Дефекты мало сказываются на вариации показателя преломления, по крайней мере, на уровне n∼10^-5 -10^-6 см^-1.
   Поглощение и рассеяние света – главное, что определяет оптическое совершенство кристалла  - связаны с морфологической  стабильностью растущей поверхности. Последовательность  элементарных ростовых слоев, искаженная дислокационным источником, может превратиться  в грубый рельеф из ямок и слоев разной толщины. Это приводит к захвату включений раствора и посторонних частиц, ответственных и за поглощение и за рассеяние световых пучков.
    Морфологическая устойчивость достигается при одной и той же величине пересыщения раствора во всех точках контактирующей с ним поверхности. Для этого необходимо, чтобы процесс встраивания строительных единиц в кристалл шел медленнее, чем их диффузионный перенос из объема раствора к растущей поверхности. Тогда на всей поверхности будет такое же пересыщение, как и в объеме раствора (так называемый кинетический режим роста).
    Ускорения диффузии можно добиться надлежащими условиями перемешивания, а замедления поверхностных процессов - путем управления активностью дислокационных источников.
    При разработке технологии скоростного выращивания авторам, естественно, пришлось решить ряд важных инженерных проблем. Сегодня кристаллы удается растить со скоростью 5 см. в сутки против традиционных нескольких миллиметров в сутки. Технологический цикл получения кристалла с линейными размерами около метра (вес порядка полутонны) занимает 2 месяца.  В Ливерморе такие  массивы монокристаллов KDP предполагалось использовать для получения второй гармоники в системе «Шива», многолучевой конструкции, инициирующей лазерный термояд.  
    Стоит отметить, что скоростной рост важен не только для получения крупных кристаллов, но и для удешевления производства любых кристаллов.
  Пожелаем ЛЕОНИДУ НИКОЛАЕВИЧУ дальнейших творческих успехов в этом, созданном им, перспективном научном направлении!